三星电子拟投数十万亿韩元，于器兴新建月产 10 万片 DRAM 工厂

东苑

据韩国经济日报，三星电子计划在其位于韩国京畿道器兴的园区内新建一座 DRAM 晶圆厂，规划月产能达 10 万片晶圆，项目总投资规模将达数十万亿韩元。

这片地块原本规划用于建设研发中心，此番调整为生产设施，市场普遍解读为三星电子为应对 AI 基础设施投资热潮下持续攀升的存储芯片需求所做出的产能布局调整。报道称，该项目最快可能于 2026 年第三季度正式动工。受此消息影响，三星电子股价上涨 7%。



器兴园区在三星电子的半导体发展史上具有标志性意义。该园区自 1983 年投入运营，是韩国运营时间最长的半导体生产基地之一，也是三星电子半导体业务的起点。1992 年，三星正是在这里开发出全球首款 64Mb DRAM 芯片，从而奠定了其在全球存储芯片市场的领先地位。

近年来，该园区主要负责成熟制程节点的生产，工艺能力可下探至 8 纳米。2022 年，三星在器兴园区内动工兴建了一个名为 NRD-K 的大型研发中心，该中心占地约 10.9 万平方米，投资约 20 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 907.2 亿元人民币），预计在 2028 年至 2030 年间完全建成。该研发中心的一条研发专用生产线已于 2025 年中期投入运营，专注于新一代存储器和系统半导体的研发。此次计划新建的 DRAM 工厂，则是在这一研发中心之外，于园区内另辟地块建设的大规模生产设施。

从更宏观的视角来看，三星电子正同时在多个基地推进产能扩张。其平泽巨型园区目前是 HBM 生产的核心基地，三星也在全罗南道的光州推进两座先进半导体晶圆厂的建设，总投资达 400 万亿韩元（现汇率约合 1.81 万亿元人民币）。此外，三星还计划将京畿道龙仁半导体集群内首座晶圆厂的投产时间提前至 2029 年。在 HBM 领域，三星电子正试图追赶已与英伟达建立早期供应合作并占据优势的 SK 海力士。三星电子近期也在其平泽 P4 工厂安装了一条月产能 10 万片晶圆的新产线，可用于生产第六代 HBM（即 HBM4）。

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