英特尔为追赶台积电三星被曝拟推 14A“魔改”工艺 14A2

东苑

Wccftech 及韩国媒体 ETNews 昨日报道称，英特尔正在评估为下一代 14A 工艺推出特殊的“魔改”工艺 14A2 并进行架构调整。

英特尔正考虑在原定背部供电（BSPDN，Backside Power Delivery）的基础上，同时保留部分前部供电，形成前后双侧供电（Dual Side）方案，以应对更先进制程下互连尺寸进一步缩小带来的技术挑战。

报道称，英特尔原计划在 14A 工艺中采用名为 PowerDirect 的背部供电技术，将供电网络转移至晶圆背面，为晶体管所在的正面释放更多布线空间，从而提升晶体管密度、降低电压损耗，并改善芯片性能。

在作为半节点升级版本的 14A2 工艺上，英特尔计划进一步缩小最低金属互连层（M0）间距，从 14A 的约 28nm 压缩至约 21nm，以提升晶体管密度，并提高 High-NA EUV 光刻设备的经济性。



随着 M0 间距缩小至约 21nm，其互连线宽进一步降低，金属导线电阻随之明显增加。原本为背部供电设计的纳米级硅通孔（nTSV）在这种尺寸下可能难以满足晶体管所需的电流密度，导致供电网络出现更明显的电压降（IR Drop）问题。

因此，英特尔正在研究保留背部供电作为主要供电网络，同时重新利用部分前部金属布线承担辅助供电及部分时钟信号传输，以缓解供电压力。虽然这种方案会增加布线复杂度，但有望在更先进制程节点下平衡晶体管密度、供电能力与制造可行性。



IT之家曾报道，英特尔此前公布的 14A 工艺将较 18A 实现约 1.3 倍的晶体管密度提升，希望借此与台积电 N2、未来的 A14，以及三星 SF2Z 等先进工艺展开竞争。

不过，随着工艺持续微缩，光刻随机缺陷、互连电阻以及供电网络设计等问题均变得更加突出，使得原有架构需要进行重新评估。

liangee

不错，又占了一个沙发！

wing6

感谢分享！

xiaoying888

啥也不说了，楼主就是给力！

com2

谢谢楼主分享！