消息称铠侠计划 2027 年量产 BiCS10（332 层）3D NAND 闪存

东苑

韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，业内消息人士指出 KIOXIA（铠侠）计划在 2027 年量产第十代 BiCS FLASH 产品，相关投资细节待到 2026H2 会更为明朗。这一时点晚于此前曝光的 2026 年量产计划。



铠侠在 BiCS8 世代引入了 CBA（IT之家注：CMOS 直接键合到存储阵列）架构，解耦了 NAND 中存储单元和外围电路的制造。该企业基于现有存储单元技术和最新 CMOS 技术的 BiCS9 产品已于去年出样。



而 BiCS10 则将存储单元的堆叠层数提升到 332 层，以满足未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求。该闪存支持 4.8Gbps 的 I/O 接口速率，位密度相较现有的 BiCS8 提升 59%。

wing6

感谢分享！

yzszh64

感谢分享。