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图片系AI生成
苏姿丰终于决定开启首次访韩之旅。
据韩媒《每日经济新闻》报道,美国超威半导体公司(AMD)董事长兼首席执行官苏姿丰将于3月18日访韩,并会见三星电子会长李在镕和韩国搜索引擎大厂Naver公司高层。这是苏姿丰2014年上任以来首次。
有意思的是,苏姿丰访韩的时间点,选在了英伟达每年最重要的GTC大会期间,芯片巨头隔空对垒再次复现,双方恐怕又要在同一时段抢占媒体头条和热点话题了。
当然,这背后更显现的是,存储芯片超级周期的又一信号。
如今,AI芯片领域竞争愈发白热化,以韩国三星、SK海力士为代表的存储巨头愈发成为供应链上的关键节点。
就连英伟达CEO黄仁勋,上个月都热情宴请SK海力士工程师,亲自敬酒以保供应,苏姿丰此次访韩就显得更加意味深长。
AI来了,存储从“周期”走向“超级周期”
苏姿丰内心想必很清楚,若AMD无法提前锁定最新一代HBM4的稳定供应,公司很可能将在与英伟达GPU,以及,强势崛起的ASIC芯片的竞争中持续处于下风。
近年来,AI热潮持续冲击着半导体产业链,其中,存储是受影响最大的领域。
尤其是DRAM(动态随机存取存储器)领域的高带宽内存(HBM),其通过与GPU紧密封装实现超高带宽,对于大模型训练至关重要。
以往,存储行业的周期大致在3年左右,但AI对算力看起来近乎无限的需求,完全打破了这一节奏。
2025年,以微软、谷歌、亚马逊、Meta等大型云厂商为代表的科技巨头,已经以超4000亿美元的大规模资本开支(Capex)极大拉动了算力硬件产业链需求,到了2026年,相关资本开支还会继续增长到6500亿美元的惊人水平。受此影响,产业链需求继续高增。
数据来源:美国云巨头厂商财报及电话会议;作者制图
高盛预计,2026年,全球HBM需求将同比增长76%。相关报告还指出,AI服务器对内存的消耗是传统服务器的8倍以上,这种结构性变化,使得存储需求完全脱离了传统的经济周期。
而在供给侧,为了满足激增的HBM订单,三星、SK海力士和美光科技三大巨头,不得不将大量原本用于生产通用DRAM的晶圆产能转向HBM,其他存储技术如NAND等产能,也全线告急,这导致产业链价格狂飙。
在“挤压效应”和“涨价潮”的双重影响下,使用通用存储芯片的手机、电脑等产品成本骤增,只能纷纷涨价。
HBM却无法仅靠短期扩产满足需求。此前,美光科技移动与客户端业务部门营销副总裁克里斯托弗·摩尔(Christopher Moore)表示,该领域市场的供需结构已彻底被重构,尽管行业已启动巨额投资扩产,但新建晶圆厂本就需要数年周期,且AI对技术、良率要求极高,产品投产后,还需经历漫长的客户认证和设备调试,让产能释放的时间进一步拉长。
摩尔还表示,目前存储产线因客户对8GB、12GB、16GB等多容量规格的并行需求而频繁切换,影响了提产效率,预计产能短缺问题至少将持续至2028年。
去年以来,多家研究机构报告指出,存储带宽或将在一段时间内,成为制约GPU性能释放的最大瓶颈之一。
激战HBM4,三星、SK海力士纷纷出手
美国芯片巨头与韩国存储巨头间错综复杂的关系,对各自公司的发展前景和行业格局有至关重要的影响。
曾经,三星在芯片领域的优势远超SK海力士,但正是在这轮AI浪潮中,随着英伟达的崛起,局面发生了变化。
韩国记者李德周在《英伟达之道》一书中,曾介绍过SK海力士“逆袭”的历程。
SK海力士与三星均在2013年左右开始开发HBM,2015年起向英伟达供货。然而,在2022年底,在ChatGPT引爆这波生成式AI浪潮之前,三星内部判断,AI市场有限,未像SK海力士那样积极投入HBM的研发与产能,也错过了与英伟达建立更紧密合作的机会。
反观SK海力士,凭借更高的良率、更充足的产能和更快的迭代速度,持续为英伟达每一代新产品供应HBM,公司销售额和股价双双飙升,整个2025年营业利润已历史首次超越三星。
在很长一段时间内,英伟达的HBM第二顺位供应商是美光科技,直到去年底,三星才有明显起色。
但在目前HBM4的迭代中,局面又开始洗牌,各家公司开启了新一轮竞争。
2月中旬,三星宣布率先向英伟达出货了首批HBM4产品,是行业首家,同时计划在5月实现大规模供货。
另一边,SK海力士的进度也较为近似,而且在良率等指标上可能仍有优势。
从目前披露的信息来看,英伟达新一代Rubin架构中,约60-70%的HBM4订单可能仍会花落SK海力士。也正因为英伟达和SK海力士愈发深厚绑定,三星和AMD等“追赶者”也加紧了互相合作,以求提升自身竞争力。
与此同时,美光科技在HBM4上的性能和产能进度上并不理想,新技术迭代处于落后。
多家分析机构认为,HBM4的竞争将主要集中在韩系两巨头之间。
截图来自Bernstein今年1月发布的报告Asia Semiconductors and Global Memory: 2026 is still all about AI
实际上,存储行业格局的巨变,正是AI的快速发展,促使很多格局固化已久产业重新洗牌的结果之一。
以往,被视为“老成持重”的三星,目前在HBM4和新一代技术方面颇为激进,而后来者SK海力士,风格则趋向稳健,注重保持性能与可靠性的平衡。
另外,值得注意的是,标准化HBM4的竞争尚未结束,下一代定制化产品HBM4E的战火已经燃起,推理需求、定制化芯片更加与这一趋势相关。
为了争夺推理、定制化市场,芯片厂商希望,将特定逻辑功能集成到HBM的基础芯片中,以进一步优化性能、降低延迟和功耗,这对存储厂商逻辑设计与先进封装的能力提出了新要求。
三星目前已组建专门团队,计划在今年中完成定制HBM4E设计,并考虑采用自研2nm工艺以求突破。SK海力士和美光,则继续深度绑定台积电的先进制程生态,逐步加码HBM4E产能。
国产存储崛起,谁在抢跑HBM赛道?
中国国产芯片自然不会错过这股热潮,已经有强势崛起之势。
虽然国产存储在高精尖的HBM领域仍面临较多阻碍,难以短期内追赶国际领先,但在通用存储领域,不少厂商已取得可观进展。
其中,当前最引人注目的当属长鑫存储。
长鑫存储是国内市占第一的DRAM芯片设计制造商,主要为移动设备、服务器和消费电子等领域提供内存解决方案。近年来,长鑫存储发展速度逐步提升,全球产能占比已超过4%,是“芯片国产替代潮”中的重要力量之一。
而且,长鑫存储与国际领先水平的技术差距正在缩小。长鑫存储近期已启动HBM3样品送测,并交付给国内头部客户进行验证,计划今年起全面量产。
长鑫存储已经计划走向资本市场。去年末,该公司已正式向上交所递交招股书,拟在科创板挂牌上市,计划募资295亿元,主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
长鑫存储募资额是科创板创立以来的历史第二高,仅次于另一大国产芯片巨头中芯国际的532.3亿元。市场对其上市估值的预测也高达1500亿元,可能又将引领一次IPO狂欢。大笔融资和资本市场的反馈,也有望继续推动该公司发展提速,紧追国际领先水平。
此外,主攻3D NAND闪存的长江存储也已经崭露头角。
长江存储主要业务集中在消费级SSD和嵌入式存储市场,在全球3D NAND闪存市场中已稳居第一梯队。目前也正处于产能快速扩张期。
此外,佰维存储、宏芯宇电子、江波龙等国产存储厂商,都迎来了自身的业务高增长期。星辰天合、芯天下等初创公司,在存储超级周期中受到市场重视,开启了增产开拓市场和冲刺IPO融资之旅。
不过,应该看到的是,在核心工艺、先进封装等尚存技术难关,且全球中、美芯片生态链出现隔离、分化趋势的背景下,国产HBM的突破很难一蹴而就。未来,除了单点的技术攻关、突破瓶颈外,产业链协同也显得尤其重要。
尤其在国产芯片替代潮涌,AI算力整体需求爆发,政策和资本支持逐步加码,创新动能持续涌现的情况下,国产设备、材料、设计、制造、封测整个链条能实现协同攻关,将更有利于赶上先进技术的迭代步伐。(作者|胡珈萌,编辑|李程程) |