EUV光刻机对芯片生产至关重要。此次披露的技术突破，是ASML攻克EUV设备中技术难度最高的环节，生成满足高量产需求、功率与特性达标的EUV光。公司研究人员已将EUV光源功率从当前的600瓦提升至1000瓦。该突破的核心优势在于：更高功率意味着每小时可生产更多芯片，从而降低单颗芯片的制造成本。
芯片制造原理类似摄影：EUV光照射在涂有光刻胶的硅片上。功率更高的EUV光源可大幅缩短芯片厂的曝光时间。ASML NXE系列EUV设备执行副总裁特恩・范高赫（Teun van Gogh）表示：“我们希望确保客户能以更低的成本持续使用EUV技术。”
2030年单台设备每小时可处理330片晶圆
据范高赫介绍，到2030年底，客户单台设备每小时可处理约330片硅晶圆，高于当前的220片。根据芯片尺寸不同，每片晶圆可容纳数十至数千颗芯片。
ASML通过强化其光刻机中最复杂的部件之一 —— 锡滴发生器，实现了功率提升。为产生13.5纳米波长的光线，ASML设备会向腔室内喷射熔融锡滴流，再由大功率二氧化碳激光将其加热成等离子体。在这种超高温物质状态下，锡滴温度超过太阳表面并激发出EUV光。这些光线由蔡司集团提供的精密光学设备收集，导入光刻机用于芯片光刻。
本次公布的核心技术突破包括：将锡滴喷射速率提升一倍，达到每秒约10万滴；并采用两束短脉冲激光将其激发为等离子体，而现有设备仅使用单束塑形脉冲。
科罗拉多州立大学教授Jorge J. Rocca表示：“这极具挑战性，因为需要掌握多项技术与工艺。其实验室专注激光技术研究，并培养了多名ASML科学家。能实现1千瓦功率，这一成就相当惊人。”
珀维斯补充道，ASML认为实现1000瓦的技术方案将为未来持续升级打开空间：“我们已看到通往1500瓦的清晰路径，从物理原理上看，达到2000瓦不存在根本性障碍。”
挑战ASML的初创公司
值得一提的是，目前有很多初创公司都在试图挑战ASML，例如Substrate与xLight都在筹措资金研发能够与ASML“媲美”的方案。
Substrate选择了与ASML EUV光刻技术不同的技术路线，即X射线光刻技术。ASML的EUV光刻机采用13.5纳米波长的极紫外光，而Substrate则认为，波长越短，分辨率越高，因此直接采用波长更短的X射线。Substrate利用粒子加速器产生X射线光源，其波长介于0.01到10纳米之间。
据Substrate声称其设备能够打印12nm尺寸图案，与High NA EUV设备相当。Substrate表示，其未使用任何外部生产的光刻工具或知识产权，“已开发出一套差异化技术，与其他任何半导体公司均无重叠”。若Substrate能成功将该技术推向市场，其X射线光刻设备将比ASML的大型设备更便宜、体积更小。该初创公司称，其技术已具备可行性，且已拥有芯片层图像，这些图像显示其蚀刻精度已达到或超过最新型ASML设备的水平。
Substrate最终目标不仅是超越ASML，还计划成为芯片制造商本身。去年10月，Substrate宣布获得1亿美元融资。该公司计划利用资金在美国建设晶圆厂，公司将聚焦先进制程研发与生产，直接与台积电等领先代工企业竞争。
而xLight则是在生产一种“将在2028年连接到ASML扫描仪并运行晶圆”的LPP光源，这可能意味着xLight的LPP光源将与现有的ASML工具兼容，不过与下一代High-NA EUV工具的兼容性尚不确定。xLight声称目前拥有一种功率超过1000瓦的LPP光源，并且将在2028年准备好用于商业应用。
去年4月，英特尔前CEO帕特·基辛格宣布加入xLight，担任董事会执行董事长。基辛格表示，xLight的技术将每片晶圆的成本降低了大约50%，并将资本和运营成本降低了3倍，这是制造效率的重大飞跃。
去年7月，xLight宣布已完成一轮超额认购的4000万美元B轮股权融资。此轮融资由 Playground Global 领投，Boardman Bay Capital Management 跟投。Morpheus Ventures、Marvel Capital 和 IAG Capital Partners 也参与了此轮融资。同年12月，美国商务部发布的一份新闻稿显示，隶属于美国国家标准与技术研究院（NIST）的商务部“芯片研发办公室”已签署了一份非约束性意向书，将向xLight公司提供至多1.5亿美元的资金，但未透露具体的持股比例。
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