SK 启方半导体推出第四代 200V 高压 0.18 微米 BCD 工艺

东苑

[size=1.6]SK 启方半导体（SK Key Foundry）今日发布公告，宣布推出第四代 200V 高压 0.18 微米（µm）BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺，已与国内外主要客户展开实质性的产品开发合作，计划年内实现量产。

[size=1.6]作为一家晶圆代工（Foundry）企业，SK 启方半导体此次发布的新工艺，旨在应对电动汽车以及 AI 数据中心加速普及背景下，高电压、高效率功率半导体需求持续增长的市场环境。

[size=1.6]IT之家注：BCD 是一种将模拟（Bipolar）、数字（CMOS）以及高电压功率（DMOS）器件集成于同一芯片的半导体制造技术。

[size=1.6]SK 启方方面表示：“随着汽车电压体系从原有的 12V 向 48V 转变，AI 服务器和数据中心也为最大化电力效率与功率密度，正将直流电压从 380V 提升至最高 800V。”“在 100V 以上高电压环境下实现稳定耐压并高效控制电力的工艺技术，其重要性正前所未有地提升。”

[size=1.6]据介绍，此次推出的第四代 BCD 工艺在功率效率和高温耐久性方面实现提升，用于衡量性能的特性导通电阻（Rsp）和击穿电压（BVDSS）等关键指标较前代工艺改善超 20%。该工艺可根据不同工作电压提供低导通电阻（On-Resistance）器件，从而有效缩小芯片面积并降低功率损耗，提升整体工艺竞争力。

[size=1.6]在应用层面，该工艺为采用 BCD 及高电压（HV）MOSFET 的高电压、大电流电源管理集成电路（PMIC）提供了厚层绝缘膜（Thick IMD）选项，可在确保数字信号安全传输的同时，阻断不必要的高电压和噪声干扰。

[size=1.6]此外，它还支持 SRAM（静态随机存储器）、ROM（只读存储器）、MTP（多次可编程存储器）、OTP（一次可编程存储器）等嵌入式存储选项，并提供用于精密电机控制的霍尔传感器，以提升电路设计的灵活性和扩展性。

[size=1.6]该工艺可应用于高电压电源管理与转换芯片、电机驱动器、LED 驱动器、电源供给用栅极驱动器等多种产品的开发，并满足车用零部件可靠性评估标准“AEC-Q100 Grade 0”的要求。

[size=1.6]SK 启方半导体 CEO 李东载表示：“200V 高电压 0.18 微米 BCD 工艺实现量产具有重要意义。未来，公司将持续根据功率半导体客户的需求，不断推进工艺技术的升级与完善。”

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