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[数码资讯] AI 芯片新引擎:英特尔首秀 EMIB 玻璃基板,78mm 超大封装、22 层堆叠

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发表于 2026-1-23 10:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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科技媒体 Wccftech 昨日(1 月 22 日)发布博文,报道称在 2026 年 NEPCON 日本电子展上,英特尔首度公开展示集成 EMIB 技术、尺寸达 78mm×77mm 的巨型玻璃芯基板原型。

IT之家注:EMIB 全称为 Embedded Multi-die Interconnect Bridge,官方名称为嵌入式多芯片互连桥接,可以理解为埋在基板里的“高速立交桥”,专门用来连接基板上相邻的两个小芯片,让数据传输像在同一个芯片内一样快。



图源:英特尔
为何 AI 芯片必须“弃塑换玻”?

IT之家援引博文介绍,随着 AI 芯片尺寸不断逼近光刻机视场极限(Reticle Limit),传统的有机树脂基板(Organic Substrate)面临严峻的物理瓶颈。

有机材料在高温下极易发生热胀冷缩,导致基板翘曲(Warpage),进而引发芯片接合不良。相比之下,玻璃材料拥有与硅芯片相近的热膨胀系数(CTE),受热后尺寸极其稳定。

此外,玻璃表面极度平滑,支持比有机基板更微细的电路刻蚀,是承载下一代超大算力芯片的理想“地基”。

技术规格方面,英特尔采用了一个尺寸为 78mm x 77mm 的巨型封装,其面积达到了标准光罩尺寸的 2 倍。



图源:英特尔
在垂直截面上,该基板运用了“10-2-10”的堆叠架构:以 800μm(0.8mm)的厚玻璃芯为中心,上下各堆叠 10 层重布线层(RDL),总计 20 层电路用于处理复杂的 AI 信号传输。



选用 800μm 的“厚芯(Thick Core)”设计,是为了在数据中心的高压环境下确保超大尺寸封装的机械刚性,防止断裂。同时,该基板实现了 45μm 的超微细凸点间距,I/O 密度远超传统基板。

英特尔在此次展示的封装中已成功集成了两个 EMIB 桥接器,验证了玻璃基板在承载复杂多芯片配置时的能力,相比传统有机基板,玻璃基板能提供更精细的互连间距、更好的焦深控制以及更低的机械应力。

业界最关注的焦点在于英特尔明确宣称实现了“No SeWaRe”。SeWaRe 是行业隐语,指代玻璃基板在切割与搬运中极易产生的微裂纹(Micro-cracks),这些隐形伤痕往往会导致封装在热循环测试中彻底碎裂。

英特尔此次的宣示,意味着其已通过特殊的材料改性或加工工艺,彻底解决了玻璃的脆性问题,确保了量产级的可靠性。
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发表于 2026-1-23 11:13 | 显示全部楼层
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英特尔来了
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发表于 2026-1-23 12:01 | 显示全部楼层
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发表于 2026-1-23 12:40 | 显示全部楼层
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