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[科技新闻] 11月中国半导体设备进口额,降了!

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发表于 2025-12-24 17:50 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合
中国半导体设备11月进口同比下滑8%。
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根据巴克莱研究援引中国海关总署数据分析显示,中国半导体相关设备进口在经历数月强劲增长后,于11月出现略微放缓。 11月进口总值较去年同期下降了8%,较10 月则大幅下滑24%。
尽管出现月度下滑,但由于8月、9月和10月曾出现双位数增长,年初至今的进口额仍累计增长了约7%。
巴克莱指出,这项衡量指标的月度波动性很高,且按季节性调整年率计算,11月的进口量约为270亿美元。不过,过去三个月的平均年化率则维持在四百多亿美元的低区间。
在各类设备中,光刻设备的进口持续拖累整体表现。 11月份,光刻设备的进口总额约为7亿美元,价值较去年同期下降15%,较10月下降32%。年初至今,光刻设备的进口额累计下降了10%。巴克莱表示,进口光刻工具的数量在11月年减了29%,反映了出货时机所驱动的剧烈波动。
其他设备类别的趋势则呈现多空不一:

  • 化学气相沉积(CVD) 设备进口在11月年增24%,但月率下降34%;不过,该类设备年初至今累计增长21%。
  • 蚀刻设备(Etching) 进口年减32%,月减37%;然而,该类设备年初至今仍累计增长35%。
  • 组装和后端设备(Assembly and back-end) 进口年增40%,但月减8%;年初至今累计增长13%。
巴克莱强调,最新数据表明在经历前期强劲表现后,动能出现温和丧失。整体而言,虽然11月活动有所放缓,但累计进口价值仍高于一年前,数据所反映的是11月的活动趋缓,而非年度趋势出现逆转。
目前为止,本季度的进口量比去年同期高出约2%。不过,由于12月通常占第四季活动的大部分份额,第四季的比较变得更具挑战性。
半导体CVD设备是半导体产业链的“心脏”设备之一,其技术水平直接决定了芯片的性能、良率和制造成本。随着半导体制造工艺向大尺寸晶圆发展,均匀的薄膜沉积对于保证整片晶圆上器件性能的一致性至关重要,半导体CVD设备在这方面表现出色。与此同时,半导体CVD设备所形成的薄膜具有良好的致密性和附着力,良好的致密性能够有效阻挡外界杂质的侵入,提高半导体器件的稳定性和可靠性;而强附着力则确保薄膜在后续的加工和使用过程中不会轻易脱落,保障了器件的长期性能。近年来,随着国内半导体市场的迅速崛起,特别是5G、物联网、人工智能等新兴技术的普及,国内对芯片的需求量呈现出爆炸式的增长,推动了中国半导体CVD设备行业的快速发展。
全球半导体CVD设备市场由AMAT、LAM和TEL三大国际巨头主导,合计份额超过80%,而ASML和DNS等企业也在细分领域占据重要地位。国内厂商中,拓荆科技在PECVD领域领先,北方华创、微导纳米等则在ALD设备市场展开竞争;中微公司在MOCVD技术方面达到国际先进水平,盛美上海由清洗设备向CVD领域延伸,形成多元化布局。国内外企业共同推动CVD技术迭代,竞争格局呈现国际化与本土化并行的特点。
刻蚀设备是晶圆制造第二大设备,重要性仅次于光刻机,占整体前道设备价值量的22%。随着多重掩膜、大马士革工艺应用以及存储芯片内3D叠堆等技术加速渗透,刻蚀设备在半导体制造中的需求量和重要性不断上升。
逻辑芯片不断突破,先进工艺刻蚀次数也不断提升,对刻蚀设备的数量和质量提出了更高的要求。对于中国大陆逻辑电路制造而言,先进制程的主流工艺是FinFET工艺,受制于部分设备能力,国内先进制程的发展目前还需要依赖多重曝光实现更小的尺寸,使得刻蚀技术及相关设备的需求数量和重要性进一步提升。
存储器件领域,2D NAND向3D NAND的转变以及3D NAND层数的提升需要更高要求的刻蚀工艺,刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上加工40:1到60:1甚至100:1的极深孔或极深的沟槽。以上均是国内半导体刻蚀工艺以及设备供应商面临的关键问题,而国产设备厂商也只有突破了这些环节才能进一步实现逻辑和存储先进制程扩产。
*声明:本文系原作者创作。文章内容系其个人观点,我方转载仅为分享与讨论,不代表我方赞成或认同,如有异议,请联系后台。
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发表于 2025-12-24 18:36 | 显示全部楼层
半导体设备进口下滑,是“喘口气”还是“刹车”?
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发表于 2025-12-24 18:36 | 显示全部楼层
光刻设备11月进口额降15%还月降32%这波动比坐过山车还刺激,就靠这数据说产业没逆转,我持保留意见
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