该研究提供了一种融合高吸收元素Te、主链断裂机制与材料均一性的光刻胶设计路径,有望推动下一代EUV光刻材料的发展,助力先进半导体工艺技术革新。
相关成果以“聚碲氧烷作为EUV光刻胶的理想配方”(Polytelluoxane as the ideal formulation for EUV photoresist)为题,于7月16日发表于《科学进展》(Science Advances)期刊。
清华大学化学系2024级博士生周睿豪为论文第一作者,2020级博士生曹木青参与了本工作。清华大学化学系许华平教授为通讯作者,清华大学集成电路学院客座教授马克·奈瑟(Mark Neisser)与江南大学化学与材料工程学院谭以正副教授为共同通讯作者。该研究得到国家自然科学基金重点项目的资助支持。
目前,国际光刻胶巨头凭借其长期的技术积累和市场优势,在高端光刻胶领域占据了主导地位。这些企业不仅拥有先进的生产技术和设备,还具备强大的研发能力和丰富的市场经验。例如,日本JSR在光刻胶领域拥有超过50年的研发和生产经验,其产品涵盖了从g线、i线到KrF、ArF、EUV等全系列光刻胶。JSR每年投入大量的资金用于研发,不断推出新产品,以满足市场对高端光刻胶的需求。此外,JSR还与全球主要的芯片制造企业建立了长期稳定的合作关系,进一步巩固了其市场地位。其他国际巨头如东京应化、信越化学、杜邦等也各自在光刻胶领域拥有独特的优势,形成了强大的竞争壁垒。清华大学的最新突破给国产半导体行业的发展打开新的大门。
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