4年投入900亿美元，英特尔代工业务迎来“背水一战”！

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美国旧金山当地时间4月29日上午，2025英特尔代工大会（Intel Foundry Direct Connect）正式在圣何塞开幕，芯智讯也受邀参与了此次活动。
在此次大的主题演讲环节，英特尔CEO陈立武(Li-Pu Tan)分享了英特尔代工的进展和未来发展重点，并重申了其将英特尔打造成为全球一流的晶圆代工厂的愿景。

△英特尔CEO陈立武
英特尔代工首席技术与运营官Naga Chandrasekaran以及代工服务总经理Kevin O’Buckley也分别揭晓了最新的工艺路线图及尖端制程工艺和先进封装技术的最新进展，英特尔代工遍布全球的多元化制造和供应链布局，以及生态系统的支持。

△英特尔代工首席技术与运营官Naga Chandrasekaran
Synopsys、Cadence、Siemens EDA和PDF Solutions等英特尔生态系统合作伙伴也现身现场，分享了如何对于英特尔系统级代工的支持，帮助客户推进创新。来自联发科、联电（UMC）、安靠、微软和高通公司的高管也介绍与英特尔的合作进展。
一、四年五个节点即将完成，Intel 14A领先台积电一年
作为英特尔此前提出的“四年五个制程节点”计划的最后一个关键节点，同时也是英特尔逆转“颓势”的最为关键的一个尖端制程节点，英特尔在此次大会上正式宣布，Intel 18A目前已经进入了风险试产（in risk production），即将于今年年底实现大规模量产。同时，英特尔还介绍了Intel 18A的演进版本、下一代的Intel 14A、与联发科合作的16nm、与联电合作的12nm的最新进展。

△英特尔最新制程工艺Roadmap
1、Intel 18A年底将大规模量产
资料显示，Intel 18A采用了RibbonFET 环绕栅极晶体管(GAA) 技术，可实现电流的精确控制，同时还率先采用了业界首创的 PowerVia 背面供电技术，可将密度和单元利用率提高 5% 至 10%，并降低电阻供电下降，从而使 ISO 功率性能提高高达 4%，并且与正面功率设计相比，固有电阻 (IR) 下降大大降低。

与Intel 3 工艺节点相比，Intel 18A的每瓦性能提高了15%，芯片密度提高了了30%。

据介绍，Intel 18A作为完全集成背面供电技术的制程节点，虽然此举使得其晶体管最小间距为32nm(大于典型的25nm)，但是可以直接一次打印图案，而原有的典型方案则需要多道图案化，因此Intel 18A可以进一步降低工序成本。

英特尔代工首席技术与运营官Naga Chandrasekaran表示：“Intel 18A制程节点已进入风险试产阶段，缺陷密度正在根据我们的计划持续降低，我们将能够在2025年底将其投入大规模生产。我们有信心达到这一里程碑。”

英特尔代工的生态系统合作伙伴为Intel 18A提供了EDA支持，参考流程和知识产权许可，让客户可以基于该节点开始产品设计。

预计基于Intel 18A制程的首款产品——Panther Lake 客户端计算处理器在今年年底大批量生产。此外，面向数据中心的基于Intel 18A制程的Clearwater Forest处理器也在顺利推进当中。

△英特尔Intel 18A晶圆展示
除了Intel 18A之外，英特尔还披露了基于其演进的Intel 18A-P和Intel 18A PT制程工艺。
据介绍，Intel 18A-P在密度不变的情况下，每瓦特性能将会比18A提升8%，将为更大范围的代工客户带来更卓越的性能。Intel 18A-P的早期试验晶圆（early wafers）目前已经开始生产，预计将会在2026年第四季度量产。

由于Intel 18A-P与Intel 18A的设计规则兼容，IP和EDA合作伙伴已经开始为该演进节点提供相应的支持。
Intel 18A-PT是在Intel 18A-P的性能和能效进步基础上推出的另一种Intel 18A演进版本。Intel 18A-PT可通过Foveros Direct 3D先进封装技术与顶层芯片连接，混合键合互连间距小于5微米。TSV工艺的加入，可以方便客户移植IP，主要面向下一代AI XPU的3D堆叠基础芯片，目前正在规划更强大的EDA支持。

官方公布的数据显示，Intel 18A-PT相比Intel 3-T密度提升了20-25%，功耗降低了25-35%，Die to Die带宽密度提升了9倍。

2、Intel 14A将于2027年量产，领先台积电一年
似乎在作为针对台积电在北美技术论坛上最新公布的A14制程的最新回应，英特尔也此次大会上也透露了其最新的Intel 14A制程的进展。
根据英特尔最新披露的数据显示，Intel 14A相比Intel 18A将带来15-20%的每瓦特性能提升，密度提升30%，功耗降低25-35%。

同时，Intel 14A制程及其演进版本14A-E都将会采用第二代的RibbonFET 环绕栅极晶体管(GAA) 技术，以及全新的PowerDirect直接触点供电技术（18A是PowerVia背面供电技术），并采用High NA EUV技术进行生产。
英特尔解释称，之所以引入High NA EUV技术，是因为这样做可以提高效率，从而降低成本。如下图所示，High NA EUV一次曝光所形成的图形中的晶体管间距与常规的三次Low NA EUV曝光所形成的图形的晶体管间距相当，而且后者总共需要约40个步骤来生产该图案，显然High NA EUV技术更具效率，并可降低成本。

目前英特尔代工已与主要客户就Intel 14A 制程工艺展开合作，发送了Intel 14A PDK（制程工艺设计工具包）的早期版本。这些客户已经表示有意基于该节点制造测试芯片。相对于Intel 18A所采用的PowerVia背面供电技术，Intel 14A将采用PowerDirect直接触点供电技术。英特尔也计划与合作伙伴尽早提供配套的IP和EDA工具。

根据英特尔的规划，Intel 14A将会在2027年量产，量产时间可能会领先于台积电A14制程（量产时间预计为2028年底）。
需要指出的是，由于英特尔已经在Intel 18A制程的研发过程当中进行了大量的High NA技术的经验积累，这也使得Intel 14A在使用，Intel 14A使用High NA EUV生产良率和生产效率上有望居于优势地位。相比之下台积电的A14制程仍将会采用Low NA EUV技术，并且下一代的A14演进版本才会引入新的背面供电技术和High NA EUV技术进行制造。
3、与合作伙伴的新工艺节点进展顺利
2022年7月，英特尔宣布与芯片设计大厂联发科合作，还专门开发出了全新的16nm工艺，该制程基于英特尔22nm FFL基础上改进而来，不仅改进了技术指标，而且还支持更多的第三方芯片工具。联发科将利用该制程来生产面向边缘智能设备的芯片。

在此次的2025英特尔代工大会上，英特尔宣布正在与主要客户洽谈与联电合作开发的12nm节点及其演进版本。
2024年1月25日，英特尔就曾与晶圆代大厂联华电子公司（简称“联电”）联合宣布，他们将合作开发 12nm 半导体工艺平台，以满足移动、通信基础设施和网络等高增长市场的需求。该长期协议汇集了英特尔在美国的大规模制造能力和联电在成熟节点上的丰富代工经验，以实现扩展的工艺组合。同时，这也将为全球客户的采购决策提供更多选择，让他们能够获得地域更加多元化、更具弹性的供应链。

在此次的2025英特尔代工大会上，英特尔宣布其代工部门与联发科合作流片的首批基于16nm制程的产品已经进入晶圆厂生产。
联电日前也透露，与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术平台，预计2026年完成制程开发并通过验证，符合该公司设定2027年量产时程。
二、推出全新先进封装技术
面对来自AI、HPC等应用对于先进制程节点和先进封装需求的持续增长，英特尔代工也可向客户提供系统级集成服务。
英特尔除了向客户开放最尖端的Intel 18A-P和Intel 14A制程节点之外，还支持通过其先进的EMIB（2.5D桥接）和Foveros Direct（3D堆叠）和封装技术实现连接。

英特尔还将向客户提供新的2.5D先进封装技术，包括面向未来高带宽内存需求的EMIB-T。EMIB-T 代表 EMIB-TSV，是首个使用 TSV 通过桥接器发送信号（而非绕过桥接器）的 EMIB 实现，主要面向Die to HBM4互联。

英特尔表示，EMIB的可扩展性可以支持广泛的AI芯片设计需求，2026年将可支持120mm*120mm的封装尺寸，可以集成4个计算Die和12个HBM，可能需要用到20个EMIB互联；2028年将支持120mm*180mm的封装尺寸，可以集成多达8个计算die和24个HBM，可能需要用到38个EMIB互联。

英特尔还在现场展示了基于其EMIB-T技术的全新的超大规模Chiplet集成方案，可以将基于尖端制程的4个计算die与多达12个HBM5规格的高带宽内存通过EMIB-T技术和UCIe进行互联的解决方案。

在Foveros 3D先进封装技术方面，英特尔也推出了Foveros-R和Foveros-B也将为客户提供更多高效灵活的选择。
其中，Foveros-R的bump间距为25nm，主要面向RDL夹层设计，可以低成本的实现。Foveros-B则支持更加灵活的设计，主要面向硅桥接互联。这两项技术都将于2027年实现大规模量产。

英特尔还介绍了Foveros Direct技术的进展。该技术实现了向直接铜对铜键合的转变，它可以实现低电阻互连，并使得从晶圆制成到封装开始，两者之间的界限不再那么截然。目前Foveros Direct已经实现了5微米以下（之前是10微米以下）的凸点间距，使3D堆叠的互连密度再度提高了一倍，为功能性裸片分区提出了新的概念，这在以前是无法实现的。

英特尔还展示了其最新的共封装光学+先进封装方案，今年即将实现第二代的技术交付，2027年则将推出3D集成的光学共封装方案。

三、四年投入900亿美元，强化先进制程与全球制造布局
根据英特尔的规划其未来的产品可能会更多的转向内部制造，再加上陈立武提出的打造全球一流的晶圆代工厂的愿景，这也意味着英特尔需要足够多的产能才能支持其这两个目标的实现。另外，在中美关税战、地缘政治的多种因素的影响下，英特尔也需要进一步强化其全球产能布局。
在此次2025英特尔代工大会，英特尔宣布其最新的Intel 18A正率先在其俄勒冈州晶圆厂试产，预计该晶圆厂也将率先在年底实现大规模量产Intel 18A。同时其亚利桑那州的Fab 52 晶圆厂也已成功完成 Intel 18A的流片（run the lot），标志着该厂首批晶圆（wafer）顺利试产成功，预计将于今年晚些时候该晶圆厂的Intel 18A将进入量产爬坡阶段（ramp up）。此外，英特尔和联电合作的12nm也将会在俄勒冈州和亚利桑那州晶圆厂进行量产。

英特尔还宣布，亚利桑那州晶圆厂也将会支持部分Intel 10和Intel 7产能需求，同时其以色列晶圆厂也将会扩建Intel 10和Intel 7产能。

英特尔还宣布将在其爱尔兰晶圆厂的首个EUV制程已经进入批量生产，这也是首个领先的尖端制程在欧洲量产，未来爱尔兰晶圆厂的Intel 4、Intel 3制程产能将会显著增加，Intel 16制程也将会在爱尔兰晶圆厂量产。

英特尔激进的“四年五个工艺节点”计划，以及庞大的先进制程与先进封装产能的规划，也使得英特尔的晶圆厂资本支出保持在较高水平。
根据英特尔披露的数据显示，在2021年提出“四年五个工艺节点”计划至
2024年这四年间，英特尔在全球的资本支出达到了900亿美元，其中约180亿美元投向了技术研发，370亿美元都投向了晶圆厂设备支出。

在这期间，以色列晶圆厂的EUV和非EUV产能增加了50%，亚利桑那州晶圆厂的EUV和非EUV产能也将增长了100%，预计到2030年俄亥俄州晶圆厂的EUV产能也将达到与以色列晶圆厂目前相当的水平。

在先进封装方面，英特尔的投资主要集中在美国新墨西哥州、俄勒冈州和马来西亚。其中，新墨西哥州封装厂的Forveros产能增加了30%，EMIB-T产能投资增加了150%，马来西亚未来的规划的先进封装产能投资将会大幅增长，将达到与新墨西哥州Forveros产能相近的水平。

除了美国新墨西哥州、俄勒冈州和马来西亚的封测产能之外，英特尔在哥斯达黎加、中国成都、越南也拥有封测产能。

总体来看，英特尔的晶圆制造与封测版图已经覆盖了北美、亚洲与欧洲的多个国家和地区，足以应对全球各地客户的代工需求，同时也顺应了当前客户对于供应链多元化的需求。

英特尔CEO陈立武也表示，RibbonFET和背面供电技术PowerVia技术，是英特尔在尖端制程上的关键优势，同时英特尔的EMIB和Foveros先进封装解决方案也是极具竞争力优势。为了满足自身以及客户的需求，英特尔在这四个技术领域进行了双倍、三倍的投入。
四、英特尔代工生态系统正日益完善
对于英特尔来说，发展代工业务，仅有出色的半导体制程工艺技术和先进封装技术是不够的，如果要赢得芯片设计的客户的订单，还需要为其提供完整的代工生态系统，包括这种半导体IP、EDA工具，以及生态内众多合作伙伴的协同。
值得信赖且历经验证的生态系统合作伙伴，为英特尔代工提供了全面的IP、EDA和设计服务解决方案组合，支持英特尔代工的发展，推动技术进步。
在此次2025英特尔代工大会上，Synopsys、Cadence、Siemens EDA、PDF Solutions、eMemory、QuickLogic等英特尔生态系统合作伙伴也纷纷为英特尔站台，分享了他们对于英特尔系统级代工的支持。

与此同时，英特尔代工加速联盟（Intel Foundry’s Accelerator Alliance）新增了多个项目，包括英特尔代工芯粒联盟（Intel Foundry Chiplet Alliance）和价值链联盟（Value Chain Alliance）。

其中，英特尔代工芯粒联盟在成立初期的重点是定义并推动先进技术在基础设施建设方面发挥作用，将为客户提供可靠且可扩展的方式，基于可互用、安全的芯粒解决方案进行产品设计，满足特定应用和市场的需求。

此外，英特尔还宣布与半导体封测大厂Amkor Technology达成全新合作，进一步提升了客户在选择适合其需求的先进封装技术方面的灵活性。也就是说，客户既可以选择在英特尔进行晶圆代工和封测代工，也可以选择在英特尔代工晶圆，并在Amkor等第三方封测厂进行封测。
五、如何赢得客户的信任？
早在2017年9月19日，英特尔就曾在北京举行的“领先无界，英特尔精尖制造日”活动上正式发布了其10nm制程，并宣布启动晶圆代工业务。但是之后由于10nm量产的持续延宕，以及相对于台积电三星在制程工艺营销上市的弱势（主要是命名上的差异），使得当时英特尔在晶圆代工业务上的努力遭遇了挫折。
随后在2021年，帕特·基辛格出任英特尔CEO后，启动了“IDM2.0”战略，在提出激进的四年五个先进工艺节点的计划同时，再度剑指晶圆代工市场。虽然英特尔基本上按时完成了四年五个工艺节点的计划，但是英特尔更为激进的全球产能扩张计划以及在产品端的竞争失利，导致了2024年英特尔财务危机的爆发，以及随后被迫收缩产能投资和全球裁员15%。
一时间，各种关于英特尔的负面传闻不断，包括“高通收购英特尔、博通收购英特尔、英特尔将出售晶圆代工业务、台积电将入股并主到英特尔晶圆厂运营、Intel 18A良率不佳”等。这也使得外界对于英特尔尖端制程Intel 18A制程能否顺利量产，以及英特尔的晶圆代工业务能否继续开展带来了巨大的质疑。
对此，临危受命的陈立武在接手英特尔之后，宣布推动英特尔转向以工程为中心，并改革组织架构，推动业务转型。同时，陈立武并未放弃晶圆代工业务，并且还宣布了将英特尔打造成为世界一流的晶圆代工厂的愿景。陈立武认为，重新赢得客户的信任将是英特尔获得成功的关键。
陈立武此前在“Intel Vision”（英特尔愿景）大会上就曾指出，“全球对芯片产能的需求正在增长，客户需要灵活、有弹性和安全的供应链。英特尔代工业务将会发挥着至关重要的作用。我们将继续推进我们的代工战略以满足我们的需求。”

在陈立武看来，晶圆代工业务是一项服务业务, 它建立在信任的基本原则之上，这至关重要。每个Foundry客户都有自己独特的设计方法论和设计风格，英特尔需要学习这些东西，同时学会如何服务好每个不同的客户。因为他们为了优化性能、质量和产量，都有自己偏的爱IP供应商和EDA合作伙伴，英特尔不能去改变这一点。英特尔需要在此基础上去优化和推动客户的芯片实现他们需要的性能和产量，同时保护好客户的知识产权。
基于此，陈立武认为，英特尔需要简化技术使用流程，重点推进四大设计赋能支柱，包括IP、数字设计流程、可制造性设计和良率优化等。

值得一提的是，英特尔在此次会议现场还展示了来其面向晶圆厂需求研发的机器人巡检系统，展现其在AI赋能智能制造方面的努力。据介绍，英特尔通过其Al驱动的预测性维护系统，可以通过实时分析十万个传感器数据，将设备故障预测精度提升至98%；自动化缺陷检测平台，借助深度学习算法，使晶圆检测效率提升40%。这一切都将有助于帮助英特尔自身及客户产品制造稳定性及良率的提升。

英特尔代工首席技术与运营官Naga Chandrasekaran则认为，赢得客户的信任，还需要以客户为中心的工艺与制造能力，包括生态系统与知识产权的完备、客户服务与可预测执行、领先的技术与全球制造能力。

因此，我们可以看到，在此次2025英特尔代工大会上，英特尔除了展示其最新的先进制程工艺及先进封装技术进展的同时，也极大地丰富了基于这些核心技术的生态支持，包括各种IP和EDA合作伙伴以及生态联盟，以及全球的研发与制造布局。
小结：



正如芯智讯此前多次在相关文章当中所指出的那样，对于英特尔来说，其Intel 18A制程的成功与否将会成为决定英特尔自身产品业务及晶圆代工业务能否获得成功的关键。
虽然从目前来看，英特尔已经在一定程度上围绕其核心的先进制程及先进封装技术建立起了生态系统，但是要让客户建立起足够的信任和信心，还是需要看英特尔自身在Intel 18A上的首批产品（Panther Lake）能否在市场上获得成功。

对此，陈立武似乎也确实遵循着其“承诺有限，过度交付”的理念，并未在此次2025英特尔代工大会上透露其Intel 18A最新的合作客户名单，而是更多聚焦于其核心的技术和代工生态建设。因此，只要客户的芯片没有成功量产并在市场上获得成功，所谓的技术指标、合作都是虚的。
不过，从最新的一些传闻来看，Intel 18A似乎将有望获英伟达、博通等大厂采用，特别是在中美关税战的当下，相对于原本严重依赖于台积电的美国客户来说，如果能够有多一个可靠的美国本土的晶圆代工供应商可以选择，自然是非常欢迎的。虽然目前台积电也在美国大建产能，但目前其与英特尔在美国本土的产能还是有着非常大的差距，所以如果英特尔Intel 18A能够展现出相对台积电2nm的一些竞争优势，应该也足以吸引到一些客户。
最后总结来说，还是那句话，英特尔自家首批Intel 18A产品能否在市场上获得成功，将成为决定英特尔代工业务赢得客户信任和采用的一大关键基础。对于身处低谷的英特尔来说，能否“王者归来”就在此一役。
作者：芯智讯-浪客剑 

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