英特尔介绍最新 PowerVia 背面供电技术：降低功耗、提升效率和性能

东苑

英特尔今日发文介绍了 PowerVia 背面供电技术，该技术可帮助实现降低功耗、提升效率和性能，满足不断增长的算力需求。此外，背面供电技术提高了设计的简易性。



IT之家附英特尔 PowerVia 背面供电技术官方介绍：

Intel 20A 将是英特尔首个采用 PowerVia 背面供电技术及 RibbonFET 全环绕栅极晶体管的节点，预计将于 2024 年上半年实现生产准备就绪，应用于未来量产的客户端 ARL 平台，目前正在晶圆厂启动步进（First Stepping）。

接下来的 Intel 18A 也正在推进内部和外部测试芯片，有望在 2024 年下半年实现生产准备就绪。目前，Arm 已经和英特尔代工服务签署了涉及多代前沿系统芯片设计的协议，使芯片设计公司能够利用 Intel 18A 开发低功耗计算系统级芯片（SoC）；英特尔也将采用 Intel 18A 为瑞典电信设备商爱立信打造定制化 5G 系统级芯片。

英特尔开发 PowerVia 背面供电技术的背景

一直以来，计算机芯片都是像披萨一样自下而上，层层制造的。芯片制造从最小的元件晶体管开始，然后逐步建立越来越小的线路层，用于连接晶体管和芯片的各个部分，这些线路被称为互连线。线路层中还包括给芯片供电的电源线。芯片完成后，把它翻转并封装起来。封装提供了与外部的接口，然后就可以把它放进计算机了。

这种方法遇到了各种问题。随着晶体管越来越小，密度越来越高，互连线和电源线共存的线路层变成了一个越来越混乱的网络，成为提升芯片整体性能的障碍。

英特尔技术开发副总裁 Ben Sell 曾参与开发 PowerVia。他说，这个问题之前不受重视，但“现在产生了巨大的影响”。简言之，功率和信号会衰减，需要变通的办法。

英特尔 PowerVia 背面供电技术的原理

英特尔和领先的芯片制造商都在努力研究“背面供电”，寻找将电源线移动到芯片“背面”的方法，从而使芯片“正面”只专注于互连。

在 2023 年 VLSI 研讨会上，英特尔展示了制造和测试其背面供电解决方案 PowerVia 的过程，并取得了良好的性能测试结果。

告别披萨式的制造方式，芯片制造第一次涉及两个面。下面是 PowerVia 的原理：像以前一样，首先制造晶体管，然后添加互连层。接下来是一个有趣的环节：翻转晶圆并进行打磨，露出连接电源线的底层。

Sell 解释说，打磨后，“现在只有很少的金属层，都非常厚”。这里的“厚”指的是微米，留下了“非常直接的路径给晶体管供电”。

wing6

感谢分享英特尔资讯

billy211

hussarzcz

{:2_378:}{:2_378:}