高盛最新研究报告：中国光刻机仍停留在65nm，落后ASML约20年
9月2日消息，据外资投行高盛最新发布的研究报告称，虽然中国近年来在半导体领域发展迅速，但是在半导体制造关键环节的光刻机研发上仍存在瓶颈，而中国国产光刻机目前仍停留在65纳米，至少落后国际大厂20年的时间。目前制造5nm及以下更先进制程的芯片需要依靠极紫外光（EUV）光刻机，而埃米级制程则需要用到更先进的高数值孔径（High NA）EUV光刻机，目前这些最先进的光刻机只有荷兰公司 ASML能够制造。但由于ASML的这些光刻机仍依赖于美国原产的关键零部件，这也使得美国政府能够限制它们对中国的销售。
美国和荷兰政府的禁令对中国科技产业造成了深远影响，这也使得中国本土的晶圆制造商难以获取先进的光刻机，先进制程的芯片制造水平目前仍停留在7nm级别。
高盛在报告中指出，即便中芯国际能生产出7nm制程的芯片，但是这些7nm芯片极有可能还是通过ASML较旧的深紫外光（DUV）光刻机来生产制造，因为中国目前尚不具备制造这类先进光刻机的能力，因为这些设备的核心零组件主要来自全球供应商，尤其是美国和欧洲的供应商。
光刻技术是在晶圆上构建精细电路的关键，这也使其成为芯片制造流程中的决定性瓶颈。 目前，全球领先的芯片制造商如台积电正利用ASML的光刻机大规模生产3nm芯片，并即将量产2nm芯片。 而中国国产的光刻机的技术水平仍停留在相对陈旧的65nm制程。
高盛的报告还引述了公开数据强调，ASML为了从65nm技术跃升至低于3nm的光刻能力，经过了二十年的时间，并投入了高达400亿美元的研发与资本支出。 综合考量中国当前技术水平与所需庞大投入，以及全球供应链的复杂依赖性，高盛认为中国光刻机厂商在短期内赶上西方先进技术的可能性较小。 这无疑为中国在高端芯片领域达成自给自足的愿望，设下了巨大的障碍。
编辑：芯智讯-浪客剑 别看现在和国际顶尖还有距离，但这几年咱们进步飞速。之前技术积累不够，现在奋起直追，成果不断。像 EUV 光源技术等一直在突破，假以时日，持续积累，全面赶超国际先进水平，绝对不是空想。 目前多技术路线并行突破的态势已经形成，而且还在不断推进。随着技术越来越成熟，成本降低，未来在全球半导体装备市场，中国产品肯定会越来越有竞争力，引领新一轮的产业变革。 国产光刻技术的成果已经在不少领域落地了。上海微电子的 ArF 光刻机为汽车电子、物联网芯片生产助力；纳米压印设备在存储芯片等领域完成研发验证。以后咱生活里的电子产品，可能因为这些技术，性能更好还更便宜，好处直接落到咱消费者头上。 按以往中国的科技发展速度。人家20年，我们10年以内就搞掂了。投入400亿美元就可以？那太少看咱中国的钱包了。 他们还是不了解中国，想当年原子弹欧美国家都用了好多年才成功，我们只用了两年多，空间站也是。所以有些东西只要你限制，中国就会不遗余力的搞出来，而且很快，也许三年，五年就可以 有没有可能是他们抛出一个问题，让我们业内人士自证，来套路我们的真实实力 每个发达国家都有某个领先世界的技术，不能拿国家去和全世界做比较，落后的地方奋力追赶就是了 没事的啦，他们说二十年就二十年吧，只要你们高兴。[哭笑]等着瞧吧，看看谁笑到最后！ 高盛讲的也是事实，但是我们也在进步，北斗、空间站等这些我国也搞成功了，芯片在不久的将来也会赶上的，中国人有不怕输的精神，越挫越勇，美国的封锁阻止不了中国的崛起！