东苑 发表于 2026-1-22 08:20

消息称三星电子正开发 4~2nm 定制 HBM 基础裸片解决方案

韩媒 ZDNET Korea 今日报道称，三星电子将在 HBM4 后的定制 HBM 内存上延续“制程优势”策略，提供从 4nm 直到当前最先进的 2nm 的一系列基础裸片 (Base Die) 解决方案。

IT之家注：台积电则计划为定制 HBM 基础裸片导入 N3P 制程。



▲ 三星电子代表在 IEEE ISSCC 2025 会议上的演讲
在设想的方案中内存控制器和定制逻辑单元位于基础裸片上
搭配 HBM 内存的高阶 AI XPU 芯片正面临单体芯片理论最大面积（858mm² 的光罩尺寸）限制算力进一步提升的情况，化解这一问题的方式除了多芯片的物理 / 通信互联外还包括将部分电路卸载到邻近的 HBM 基础裸片上。

由于 HBM 内存进入 HBM4 后，HBM Base Die 也采用逻辑半导体制程，因此可承载原应由 XPU 主体负担的电路功能。而 HBM Base Die 工艺越先进，其就越能容纳逻辑电路、能效越出色。

内部人士表示，三星电子的定制 HBM 基础裸片解决方案由系统 LSI 业务新设立的定制 SoC 团队负责。

liqiang2216 发表于 2026-1-22 08:40

看看

yzszh64 发表于 2026-1-22 10:41

谢谢分享。

wing6 发表于 2026-1-22 10:58

感谢分享三星电子资讯

nihao52 发表于 2026-1-22 11:54

{:2_390:}

billy211 发表于 2026-1-22 12:42

{:2_380:}{:2_380:}

ailixiaoran 发表于 2026-1-22 13:10

看了LZ的帖子，我只想说一句很好很强大！[点赞]
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