美投行报告：落后ASML 20年，中国光刻机停留65nm？哈工大出来打脸
9月，根据美国投行高盛发布的调研报告，称目前中国自研光刻机依然停在65nm，落后ASML等国际巨头至少20年。目前全球芯片已经进入5nm以下级别的生产，而这些更先进制程的芯片需要更先进的EUV光刻机，目前全球只有荷兰阿斯麦公司有能力生产这类光刻设备。
然而，阿斯麦的这些光刻设备还卡着美国的关键零件，所以阿斯麦也不得不遵从美方的指令，不对中国销售这类先进制程光刻机。
没办法得到这些光刻机，就没办法生产更先进制程的芯片，目前国内能生产的先进芯片也就是7nm，主要还是依靠ASML的DUV光刻机生产。
高盛的报告认为，目前中国的光刻机技术水平仅有65nm制程。而阿斯麦当初为了从65纳米发展到小于3nm制程的光刻技术，花了20多年的时间，以及高达400亿美元的投入，因而中国短期内大概率赶不上西方先进技术。
高盛这一报告无疑是在看轻中国光刻技术发展，然而现实狠狠反驳了这家美国投行。
而就在上世纪，我国纳米技术还十分依赖海外，如今技术早已成熟到应用于日常。一切看空我国技术的论调，注定是会落空的。
早在2023年，我国上海微电子的28nm光刻机就已研制成功，其 85%的核心部件均为国产。并且，今年已经交付了首台光刻机。虽然是ArF光刻机，中间还有DUV才能到EUV，但28nm的技术依然打脸高盛的结论。
而上海微电子并非单打独斗，国内整个产业链都在合力突破关键技术。对EUV光刻机来说，光源是重中之重。2022年，哈工大科研团队成功点亮了DPP（放电等离子体）极紫外光源样机；一年后，原型机研发完成；到2024年上半年，关键测试顺利通过，消息一出，整个行业都为之一震。
哈工大实现的光源波长为13.5纳米，与美国Cymer公司采用的传统LPP（激光等离子体）技术不同，他们走的是DPP路线——即通过放电产生等离子体来激发极紫外光。相比荷兰用光学透镜系统获取极紫光，哈工大则是利用粒子加速后辐射出目标波段，这一路径更具挑战性，但效率和精度更高。
这种颠覆性技术路线，展现了中国在光刻领域实现技术跨越的决心与速度，弯道超车不再是口号。
眼下，哈工大与国仪超精密集团联合投资11亿元建设的EUV光源产线已进入试运行阶段，能稳定输出30瓦功率。
虽然和阿斯麦的商用水平还有距离，但已足够支撑原型机完成核心测试。不止哈工大，清华薛其坤团队正在攻关的稳态微聚束（SSMB）光源技术，未来也有望提供更高功率的极紫外光，潜力不容小觑。
这些看似单一的进展，实则正在形成一套技术“组合拳”，彼此衔接、互相补强，为中国半导体突围攒足了后劲。
西方的层层障碍，没压住中国的技术野心，反倒成了倒逼创新的催化剂。每一次压力，都换来更猛的突破。
事实也说明，越是围堵，越激发自主决心。在高校、科研机构与企业的协同发力下，国产EUV光刻机的突破，或许就在眼前。正如台媒所言：万事俱备，只欠东风。我们静待好消息。 哈工大搞出的13.5纳米DPP极紫外光源样机就像给光刻机装上了强力心脏，虽然现在功率30瓦和商用有差距，但已够原型机测试，这技术路线真行 注意保密，技术细节不应该纰披露。 怎么还有洗发广告图片😅 好像这几年的关键技术都和清华北大没有多大关系，我国顶级学府，啥事没干。 中国的高尖科学家坐飞机，尤其是波音的飞机，一定要小心，千万不能一个专业的团队全部做一架波音的飞机。 中国必须建立自己类似台湾省台积电一样的芯片代加工企业，要能制成7nm以下的芯片才能打破ASML垄断！ 不管你信不信，反正我是信了。{:10_588:} 看帖看完了至少要顶一下，还可以加入到淘帖哦！{:10_543:} 万事俱备，只欠东风。我们静待好消息。
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