全球1.8纳米先进制程大战加剧 中国半导体稳健突破
本报记者 谭伦 北京报道全球半导体巨头围绕先进制程的争夺战愈发激烈。
近日，英特尔新任CEO陈立武宣布，Intel 18A制程已进入风险试产阶段，计划于年内实现量产。陈立武强调，18A是Intel重回工艺领先的关键节点，技术团队将继续优化PDK与制程能力，以确保量产交付与客户需求匹配。而其目标对手，正是目前半导体代工界的两大巨头——台积电与三星。
所谓18A，即18埃米（对应1.8纳米），是英特尔自2021年启动“四年五个制程节点”计划以来，为扭转其晶圆代工业务表现，重夺工艺制程领先地位而提出的规划制程，其正式对标的是台积电与三星的2纳米。此前，台积电和三星均宣布将在2025年正式投产2纳米制程。
而除18A外，英特尔在此前的路线图中还计划未来通过14A（1.4纳米）节点进一步巩固领先优势。而据公开信息，英特尔14A制程将采用高数值孔径EUV光刻技术，性能功耗比再提升15%—20%。
种种迹象昭示，2025年注定将是决定全球半导体先进制程市场格局的关键一年。CHIP中国区实验室主任罗国昭向《中国经营报》记者表示，对英特尔而言，18A节点的量产是其 “四年五个制程节点” 战略的重要落子，也将使得全球晶圆代工竞争进入最为白热化的阶段，良率、交付周期与客户策略将成为关键变量。
三巨头风格分化
虽然目标制程相同，但细窥三大巨头的技术路径与推进风格，则呈现显著差异。
根据英特尔官方释出的信息，其18A工艺采用RibbonFET闸极全环绕晶体管与PowerVia背面供电技术，提升性能与能效，特别针对AI与高性能计算场景优化。在业界看来，这意味着英特尔更押注架构创新，18A制程通过PowerVia技术将电源网络从芯片正面移至背面，在提升晶体管密度的同时降低功耗，成为业界首个实现背面供电商业化的工艺节点。
在罗国昭看来，这一略显激进的技术路线，代表英特尔试图重夺制程霸权的迫切。但英特尔过去三年在20A节点上曾有延迟与产能受限问题，能否按期放量，仍有待市场检验。此外，叠加其第二季度亏损与工厂建设推迟的消息，也令市场对其代工业务的长期竞争力存疑。
相比之下，台积电则坚守传统工艺优化路线，同时通过SoW-X晶圆级封装方案将计算性能提升40倍；而在推进方面，台积电的风格更是始终以“稳”著称。其2纳米工艺将于2025年下半年量产，1.4纳米则锁定2028年。
而客户黏性更是台积电的核心壁垒。截至目前，苹果、英伟达等头部企业已明确将1.8纳米订单优先分配给台积电，预计2026年，iPhone 18系列将首发其1.8纳米工艺的芯片。这种正向循环，也令台积电在2025年一季度以47亿美元代工收入、同比增长7%的业绩继续领跑业界。
三星则介于二者之间。在2023年举行的代工论坛上，三星公布了2GAP制程路线图，计划于2025年量产2纳米制程，并在2027年实现1.4纳米制程商业化。
不过，罗国昭指出，三星虽在3纳米节点率先采用了GAA（全环绕栅极晶体管技术）晶体管，但其良率问题频发导致客户流失。这也使得目前三星的2纳米工艺量产计划推迟至2025年。为弥补技术短板，三星正加速布局先进封装与存储芯片协同，试图以“异构集成”策略来实现对台积电的赶超。
代工市场格局或生变
随着英特尔的加入，全球晶圆代工市场格局也在悄然变化。
在半导体市场，先进制程的竞争本质往往来自客户资源的争夺。综合各方信息来看，目前英特尔在18A节点上其代工业务吸引了43家潜在客户测试芯片，包括全球Top10芯片设计公司中的7家。英特尔前CEO帕特·基辛格也曾在内部会议上透露，18A已有大额预付款承诺。
因此，随着18A试量产公布，英特尔股价近期也随预期攀升，单周内累计上涨近30%，创下1987年以来最佳表现。
相比之下，台积电凭借成熟的工艺生态和苹果等头部客户的锁定，仍占据先进制程代工市场66%的份额，但其2纳米节点面临英特尔18A的直接竞争，特别是台积电2纳米工艺未集成背面供电，而英特尔18A在相同功耗下性能优势4%。
三星则试图通过价格策略和新兴市场渗透打破僵局。其2纳米工艺报价较台积电低15%—20%，并锁定高通、日本PFN等客户。然而，良率问题和技术可靠性依然是其最大的不确定性因素。记者注意到，高通曾尝试使用三星4纳米工艺生产骁龙芯片，但因能效表现不佳转向台积电。为弥补短板，三星正加速推进与ARM、新思科技的合作，优化GAA设计工具以缩短客户开发周期。
罗国昭认为，短期来看，GAA晶体管与背面供电将成2纳米甚至更先进制程标配，而消费电子与AI芯片正在主导先进制程需求，在此背景下，三星若未能解决良率问题，可能彻底退出第一梯队。
行业分析机构Gartner预测，到2028年全球1.8nm及更先进制程芯片市场规模将突破300亿美元，其中AI芯片和高性能计算占比超60%。但这一市场的竞争将不仅限于技术参数，供应链韧性、成本控制和生态构建能力将成为胜负手。其中，英特尔若能兑现18A量产承诺并吸引头部客户，有望在2025年后改写代工市场格局；台积电需在保持工艺优势的同时加速封装技术迭代；三星则需解决良率问题，并强化技术差异化。
中国半导体稳健突围
就在台积电、英特尔、三星围绕1.8纳米及2纳米先进制程激战之际，中国半导体产业则选择了更为稳健的方式突围。
记者注意到，中芯国际、华虹半导体等中国内地的晶圆代工企业仍主要聚焦28纳米及以上成熟工艺。据中芯国际财报数据显示，2023年其28纳米及以上工艺占营收比重超过90%；尽管其14/12纳米产线已有一定出货，但受限于EDA工具、光刻设备（特别是EUV）等核心环节瓶颈，继续向7纳米以下推进的难度较大。
但这并不代表中国市场无所作为。IDC预计，到2025年，中国内地在全球成熟制程芯片产能中的占比将达28%；而SEMI（国际半导体产业协会）更在2024年预测称，到2027年这一数字将有望突破39%。也就是说，全球每三块成熟制程芯片中就有一块将在中国内地制造。
罗国昭表示，在过去几年国家政策扶持与本土需求牵引下，国产半导体企业正将资源集中于28纳米及以上成熟工艺的规模化扩产，同时向16/12纳米等中端制程推进。尽管与全球先进制程已形成“代差”，但在电动汽车、工业控制、AI边缘计算等庞大市场的支撑下，中国半导体企业选择“以稳为先、步步为营”的战略路线。这场非对称突围，或许正是国产芯片产业在地缘风险加剧下的一种更理性方式。
值得注意的是，稳健巩固市场的同时，我国对先进制程的追赶从未停歇。如中芯国际通过 DUV多重曝光技术，在14纳米平台上实现等效7纳米性能的N+1工艺，晶体管密度达1.08 亿个/平方毫米，成功应用于特定AI芯片。西安邮电大学研发的氧化镓材料，功率转换效率较硅基材料提升 30 倍，为3纳米以下制程开辟新路径。
对此，清华大学教授魏少军曾评价指出，与其在先进制程的红海中血拼，不如聚焦架构创新和微系统集成。华泰证券在2024年研报中也曾建议，从国家层面加强“专精特新”芯片的产业支持，如车规MCU、模拟IC、AI边缘芯片、工业SoC等，推动国产芯片实现技术+生态双突围，避免陷入“先进制程幻觉”。
罗国昭表示，半导体制程的追赶非一夕之功，谁能在技术突破、客户锁定和成本控制之间找到平衡点，谁就能在未来的全球半导体竞争中占据先机。而对于中国而言，在先进制程 “跟跑” 的同时，探索架构创新和生态重构的 “第三条道路”，或许是实现产业突围的关键所在。
英特尔18A，能否逆袭成功，咱们赛场上见分晓！ 英特尔18A制程进入风险试产，这速度就像百米冲刺，不过之前20A节点的问题让人有点担心它能否顺利量产 先把成熟市场干成白菜价，再爬坡先进制程，农村包围城市。 三条路，三个方向都努力探索～ 高科技推进人类毁灭！ 感谢分享 感谢分享！[喜欢] 谢谢楼主分享。
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